دیتاشیت IRF5210PBF

IRF5210PBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF5210PBF
حجم فایل 74.626 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت IRF5210PBF

IRF5210PBF Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF5210PBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 200W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 180nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2700pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@10V,24A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه